Главная

О предприятии

Горячая линия

Производственные площади и оборудование

Система менеджмента качества

Закупки

Раскрытие информации

Объявления

Продукция

Диоды Шоттки

Ультрабыстрые диоды

ДМОП Транзисторы

Интегральные микросхемы

Диодные ограничители напряжения, LС и RС - фильтры

Техническая информация

Контакты

«НИИМЭ и Микрон»

___________________

Обозначения и сокращения
 
- VB – пробивное напряжение диода при заданном уровне обратного тока;
- VR - постоянное обратное напряжение на диоде;
- VF - постоянное прямое напряжение диода при заданном значении прямого тока;
- VESD - напряжение, характеризующее устойчивость кристалла к воздействию электростатического разряда;
- IR – ток утечки диода (обратный ток) при заданном обратном напряжении;
- IF - прямой ток диода;
- Iрр – максимальный неповторяющийся пиковый обратный ток с формой импульса, регламентированной стандартом международной электротехнической комиссии    IEC61000-4-5. См. рис.1.
- Ррр - максимальная неповторяющаяся пиковая мощность при воздействии импульса тока Iрр;
- VCl – напряжение ограничения при заданном токе Iрр;
- rdiff – дифференциальное сопротивление диода при заданном значении тока;
- R - сопротивление резистора в C-R-C фильтре;
- С – емкость конденсатора (или входная емкость) в C-R-C фильтре;
- TJ – рабочая температура перехода;
- ESD – электростатический разряд;
- ESD HBM- электростатический разряд по модели человеческого тела.
- mil – 1/1000 доля дюйма (1mil=25,4мкм). 
 
 
Классификация диодных ограничителей ЗАО «ВЗПП-Микрон» 
 
 
В зависимости от cпецифики применения и конструктивно-технологических особенностей диодные ограничители классифицируются на 4 серии:
а) Серия SM-XXYZZ или SM-XX, где:
SM – серия кристаллов однонаправленных диодных ограничителей, предназначенных для защиты одной линии связи (с одним лавинным диодом);
XX – номинальное значение рабочего напряжения в вольтах;
YZZ - буква латинского алфавита и одна или две цифры, характеризующие отличительные особенности (варианты) исполнения кристалла.
Например: SM-05L2 – кристалл серии SMс рабочим напряжением 5 вольт модификации L2.
б) Серия SMB-XXYZZ или SMB-XX, где:
SMB – серия кристаллов двунаправленных диодных ограничителей, предназначенных для защиты одной линии связи и имеющих в своем составе два лавинных диода;
XX - номинальное значение рабочего напряжения в вольтах;
YZZ - буква латинского алфавита и одна или две цифры, характеризующие отличительные особенности (варианты) исполнения кристалла.
Например: SMB-05L12 – кристалл серии SMBс рабочим напряжением 5 вольт модификации L12.
в) Серия KS-XXVYZZили KS-XXVY, где:
KS – серия кристаллов однонаправленных диодных ограничителей, предназначенных для защиты двух и более линий связи (количество лавинных диодов в кристалле совпадает с количеством линий связи);
XX - номинальное значение рабочего напряжения;
V - вольт;
Y - количество защищаемых линий связи;
ZZ - буква латинского алфавита и одна или две цифры, характеризующие отличительные особенности (варианты) исполнения кристалла.
Например: KS-5,0V4L1 – кристалл серии KSс рабочим напряжением 5 вольт на 4 линии защиты, модификация L1.
г) Серия KSR-XXVYZZ, где:
KSR - серия кристаллов однонаправленных диодных ограничителей с малой емкостью, предназначенных для защиты одной или нескольких высокоскоростных линий связи;
XX - номинальное рабочее напряжение;
V - вольт;
Y - количество защищаемых линий связи;
ZZ - буква латинского алфавита и одна или две цифры, характеризующие отличительные особенности (варианты) исполнения кристалла.
Например: KSR-3,3V4M1 – кристалл серии KSR с рабочим напряжением 3,3 вольта на 4 линии защиты, модификация M1. 
 
Классификация C-R-C фильтров
 
В зависимости от cпецифики применения и конструктивно-технологических особенностей кристаллы C-R-C фильтров классифицируются на две группы:
- фильтры с асимметричным входом;
- фильтры с симметричным входом.
Фильтры первой группы имеют не симметричные входные вольт-амперные характеристики и поэтому используются  в линиях с положительной полярностью питающего напряжения относительно земли. Принципиальная электрическая схема одной линии такого фильтра показана на рис.2.                             
 

                     

 
 Фильтры второй группы имеют симметричный вход и могут использоваться в линиях с любой полярностью питающего напряжения. Принципиальная электрическая схема одной линии показана на рис.3.

                           

C-R-C асимметричные фильтры серии EMI-3XXYY, где:
EMI - обозначение кристалла C-R-Cфильтра, предназначенного для подавления электромагнитных ( и в том числе радиочастотных) помех;
Цифра 3 –характеристика сложности конструкции фильтра (3- количество активных и пассивных элементов фильтра на одну линию), указывающая на его принадлежность к группе асимметричных;
XX - количество линий защиты;
YY – вариант модификации.
Например: EMI-304M1 – асимметричный C-R-C фильтр с тремя конструктивными элементами в каждой из четырех линий модификации 1. C-R-C симметричные фильтры серии EMI-6XXYY, где:
EMI - обозначение кристалла C-R-Cфильтра, предназначенного для подавления электромагнитных ( и в том числе радиочастотных) помех;
Цифра 6 - характеристика сложности конструкции фильтра (6- количество активных и пассивных элементов фильтра на одну линию), указывающая на его принадлежность к группе симметричных;
XX - количество линий защиты;
YY – вариант модификации.
Например: EMI-602M2 – симметричный C-R-Cфильтр с ?естью конструктивными элементами в каждой из двух линий. Модификация 2. 
 
Основные технические характеристики диодных ограничителей и C-R-C фильтров
 
- Однонаправленные и двунаправленные (симметричные);
- Номинальное рабочее напряжение :
        от 2,8Vдо 24V для диодных ограничителей;
        5,0V – для C-R-C фильтров;
- Ток утечки (на землю) – не более 10µА;
- Максимальная пиковая мощность при tp=8/20µS– от 20 до 500W;
- Максимальный пиковый ток при tp=8/20µS – до 24А;
- Количество защищаемых линий связи – от1 до 10 линий;
- Полная входная емкость (относительно земли):
        а) стандартные ограничители – от 50 до 200pF;
        б) диодные ограничители и фильтры с малой емкостью – от 0,5 до 45pF.
- Номинальное значение сопротивления резистора в C-R-Cфильтрах – от 10 до 200ом;
- Допустимый разброс сопротивления резистора - не более +/- 20%;
- Максимальная температура перехода – Tj=150ºC.
Электрические характеристики подтверждаются тестированием выборки кристаллов в нормальных условиях (ТА=25ºС) по основным параметрам: VB,IR, VF, R. Объем выборки -150÷300 кристаллов на каждой пластине с критерием годности -95%. При несоответствии указанному критерию пластина подлежит 100% тестированию электрических параметров на многозондовой установке. Соответствие остальных параметров требованиям спецификаций гарантируется конструкцией кристаллов.
После тестирования электрических параметров проводится контроль вне?него вида пластин с оценкой количества дефектных кристаллов с критерием годности -95%. При несоответствии пластина подлежит 100% контролю кристаллов по вне?нему виду с маркировкой брака.
Кристаллы, находящиеся в 3-х мм зоне от края пластины, не учитываются при выборочной оценке годности по электропараметрам и по вне?нему виду и не подлежат использованию в производстве приборов.
ЗАО «ВЗПП-Микрон» производит и поставляет кристаллы ограничительных диодов и фильтров в составе неразделенных пластин диаметром 100мм . При этом потребителям предоставляется возможность выбора варианта исполнения некоторых типов кристаллов серии SM-XX в зависимости от используемого метода сборки прибора:
а) кристалл с Al металлизацией лицевой стороны – для монтажа внутренних выводов методом ультразвуковой сварки;
б) кристалл с многослойной металлизацией лицевой стороны Al-Ni-Ag- для монтажа в корпус методом пайки с применением PbSn припоев.
Металлизация обратной стороны -Ti-Ni-Ag позволяет проводить монтаж кристалла на кристаллодержатель методом пайки с применением PbSn припоев. 
 
Упаковка и хранение пластин с кристаллами   
 
Пластины с кристаллами упаковываются в полипропиленовые футляры. Пластины укладываются в футляр через прокладки из не пылящего материала и через каждые 5 пластин прокладываются прокладками из поролона. В каждый футляр вкладывается упаковочный ярлык на котором указан тип прибора, номер партии, количество пластин и количество годных кристаллов, а также полный перечень пластин с указанием их номеров и количества годных на каждой пластине.
Каждый футляр помещается в полиэтиленовый пакет, из которого откачивается воздух . Далее пакет запаивается и упакованные пластины хранятся в вакууме с целью сохранения высоких потребительских свойств в процессе транспортировки и при хранении в складских условиях в течение длительного времени.
Гарантийный срок хранения пластин без нару?ения вакуумной упаковки – один год. После вскрытия вакуумной упаковки пластины должны храниться в контролируемой атмосфере осу?енного азота и в течение не более 30 суток должны быть запущены в производство и пройти операцию герметизации (загерметизированы в корпус или залиты защитным слоем компаунда).
При нару?ении гарантийных сроков хранения пластины подлежат дополнительному тестированию для оценки возможности их использования в производстве с какими-либо доработками или без таковых. 
 
 
Указания по применению
 
1. Вскрытие вакуумной упаковки и футляра с пластинами должно проводиться в чистом рабочем помещении класса 100000 и вы?е с параметрами микроклимата в рабочей зоне: Т=23+/-5ºС и влажности 45+/-5%.
2. Пластины ограничительных диодов и C-R-C фильтров утоняются методом ?лифовки до толщины 130÷250мкм. Поэтому они очень хрупкие и требуют к себе бережного и аккуратного обращения. С целью снижения вероятности боя пластин при перегрузке их из футляра в транспортные кассеты рекомендуется снять кры?ку и перевернуть футляр вверх дном на плоскую поверхность (на стол). Затем аккуратно поднять корпус футляра, освобождая при этом пластины вместе с поролоновыми и бумажными прокладками. Теперь можно с помощью вакуумного пинцета брать пластины и переносить их в транспортную кассету. После снятия кры?ки целесообразно положить на её место плоскую пластину из любого материала для исключения возможности выпадения пластин из футляра в процессе его перевертывания. Применение пинцетов с механическим захватом крайне не желательно в связи с высокой вероятностью появления трещин и сколов.
3. Разделение пластин на кристаллы рекомендуется проводить методом дисковой резки алмазными дисками, обеспечивающими ?ирину реза 25-35мкм, с последующей промывкой в проточной деионизованной воде. Промывка должна обеспечивать полное удаление продуктов резки с поверхности кристаллов. 
4. Монтаж кристаллов на кристаллодержатель рекомендуется проводить методом пайки с применением припоев или припойных паст на основе Pb/Sn в защитной атмосфере водорода или формир-газа (N2 + H2 с содержанием H2 не менее 5%). Также возможно применение метода вакуумной пайки. Максимальная температура в процессе пайки кристаллов не должна превы?ать 420 ºС. Время выдержки кристаллов при максимальной температуре должно быть минимизировано для предотвращения изменения спецификационных параметров. Кристаллодержатель перед пайкой должен быть очищен от загрязнений и окисных пленок химическим методом или отжигом в водородной среде.
Аналогичные рекомендации распространяются и на процесс сборки кристаллов с серебряной металлизацией лицевой стороны.
5. Для кристаллов с Al металлизацией лицевой стороны монтаж внутренних выводов рекомендуется проводить методом сварки золотой проволокой диаметром 25мкм. Количество проволок рекомендуется оптимизировать в зависимости от размеров контактной площадки и спецификационных требований к параметрам прибора (Vcl, Iрр ). При этом необходимо учитывать, что увеличение количества проволок позволяет улуч?ить токораспределение по площади кристалла и за счет этого улуч?ить параметры Vcl, Ipp . Кроме того, увеличение количества проволок при умень?ении их диаметра позволяет снизить вероятность возникновения механических напряжений и микротрещин в месте сварки. При этом снижается вероятность повреждения и деградации P-N переходов. Повы?ается надежность прибора.
6. Перед корпусированием сборка должна быть очищена от загрязнений и отожжена 2-3 часа при 150ºС для удаления влаги с поверхности кристалла. При корпусировании в не герметичный корпус кристалл рекомендуется покрыть силиконовым защитным слоем. Процесс покрытия проводить в атмосфере осу?енного азота.